典型文献
光刻胶剥离制程中的寄生栅极效应
文献摘要：
在薄膜晶体管(Thin film transistor,TFT)的公共电极制程中,有部分TFT样品的漏电流(Ioff)异常偏高,该部分样品经历同一个光刻胶剥离设备,导致该设备暂停流片,造成产能损失.明确该剥离设备造成TFT漏电流偏高的原因并予以解决,对产能和品质确保具有积极意义.本文首先收集了异常设备剥离液和正常设备的剥离液并分析成分,发现异常设备的剥离液中Al离子含量高.其次,发现TFT的Ioff会随着在异常设备流片次数的增加而上升.其原因是Al离子在剥离制程生成Al2O3颗粒,该颗粒附着在TFT器件钝化层上形成寄生栅极效应,最终造成Ioff增加.最后,结合TRIZ输出解决方案,并优选方案进行改善验证.实验结果表明,剥离液中的Al离子浓度由1×10-8上升到2.189×10-6时,Ioff由3.56 pA上升到7.56 pA.当剥离液中含有Al离子,经历的剥离次数增加时,Ioff呈上升趋势.钝化层成膜前的等离子体处理功率增强、钝化层膜厚增加可以抑制Ioff增加.由此,可以确定剥离设备造成Ioff偏高的原因是剥离液中的Al离子形成的寄生栅极效应,钝化层成膜前处理强化和膜厚增加均可以抑制该效应.
文献关键词：
薄膜晶体管;光刻胶剥离;Al离子;寄生栅极效应;发明问题解决理论
中图分类号：
作者姓名：
刘丹;黄中浩;刘毅;吴旭;闵泰烨;管飞;方亮;齐成军;谌伟;赵永强;宁智勇;方皓岚
作者机构：
重庆京东方光电科技有限公司,重庆400700;重庆大学物理学院,重庆400044;中国科学院大学重庆学院,重庆400714
文献出处：
引用格式：
[1]刘丹;黄中浩;刘毅;吴旭;闵泰烨;管飞;方亮;齐成军;谌伟;赵永强;宁智勇;方皓岚-.光刻胶剥离制程中的寄生栅极效应)[J].液晶与显示,2022(10):1317-1325
A类：
光刻胶剥离,寄生栅极效应
B类：
制程,薄膜晶体管,Thin,film,transistor,TFT,漏电流,Ioff,该部,分样,同一个,暂停,流片,产能损失,常设,发现异常,离子含量,Al2O3,钝化层,TRIZ,优选方案,离子浓度,pA,加时,成膜,等离子体处理,处理功率,前处理,发明问题解决理论
AB值：
0.233679
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
