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低温下蛋白质基底薄膜晶体管的制备
文献摘要：
本文采用射频磁控溅射技术沉积铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜作为有源层,成功制备以玉米蛋白膜为基底的AZO薄膜晶体管(AZO-TFT),并对该器件的电学特性进行了表征.系统论述了磁控溅射过程中不同的氧分压对AZO薄膜表面及其TFT器件电学性能的影响规律.结果表明,磁控溅射的氩氧比为80:20时,AZO薄膜表面的粗糙度较小,其值RMS=1.867 nm;制备的AZO-TFT均为n-沟道增强型器件,且呈现良好的饱和特性.该晶体管的电学性能较优,其亚阈值摆幅为2.64 V/decade,阈值电压为1.2 V,电流开关比可达4.08×103,为新型可生物降解薄膜晶体管技术奠定了实验基础.
文献关键词：
玉米蛋白膜;可降解薄膜晶体管;铝掺杂氧化锌(AZO);氩氧比
中图分类号：
作者姓名：
张含悦;王超;杨帆;王艳杰;刘芙男
作者机构：
吉林建筑大学 电气与计算机学院,长春 130118
文献出处：
引用格式：
[1]张含悦;王超;杨帆;王艳杰;刘芙男-.低温下蛋白质基底薄膜晶体管的制备)[J].吉林建筑大学学报,2022(04):78-83
A类：
玉米蛋白膜,可降解薄膜晶体管
B类：
下蛋,射频磁控溅射,磁控溅射技术,铝掺杂,氧化锌,AZO,有源,TFT,电学特性,系统论,氧分压,电学性能,氩氧比,粗糙度,RMS,沟道,增强型,饱和特性,亚阈值摆幅,decade,阈值电压,开关比,可生物降解
AB值：
0.254085
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