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Mo的溅射功率对MoZnO薄膜晶体管性能的影响
文献摘要：
当下,ZnO基薄膜晶体管的有源层材料种类繁多,为了解决薄膜晶体管制备的成本高、对人体有危害和在光电探测领域应用等问题.在本工作中,选择采用磁控溅射的方法制备了以MoZnO为有源层的薄膜晶体管(TFT).在实验过程中控制其他制备条件不变,制备了ZnO TFT和Mo的溅射功率分别为3 W,6 W,9 W的MoZnO TFTs,并分析了影响其电学参数变化的机理,此外还进行了多个光周期下的动态响应测试.结果显示在Mo的溅射功率为3 W时,其场效应迁移率(μsat)达到了2.78 cm2/Vs,电流开关比(Ion/Ioff)达到107,亚阈值摆幅(SS)大约为1.5 V/decade.此外在365 nm的光照条件下也表现出良好的响应特性,其光响应度(R)高达32.09 A/W.综上所述,这种MoZnO TFT有潜力应用于光电探测领域.
文献关键词：
MoZnO;溅射功率;薄膜晶体管;光电探测
中图分类号：
作者姓名：
付钰;高晓红;孟冰;王森;孙玉轩
作者机构：
吉林建筑大学 电气与计算机学院,长春 130118
文献出处：
引用格式：
[1]付钰;高晓红;孟冰;王森;孙玉轩-.Mo的溅射功率对MoZnO薄膜晶体管性能的影响)[J].吉林建筑大学学报,2022(05):75-79
A类：
MoZnO
B类：
溅射功率,薄膜晶体管,有源,材料种类,光电探测,磁控溅射,中控,制备条件,TFTs,电学参数,参数变化,光周期,动态响应,场效应,迁移率,sat,Vs,开关比,Ion,Ioff,亚阈值摆幅,SS,decade,光照条件,响应特性,光响应度,综上所述
AB值：
0.315542
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