典型文献
高负偏光照稳定性的溶液法像素级IZTO TFT
文献摘要：
采用溶液法制备了铟锌锡氧化物(indium-zinc-tin-oxide,IZTO)有源层薄膜和铪铝氧化物(hafnium-aluminum oxide,HAO)绝缘层薄膜,并成功应用于背沟道刻蚀结构(back-channel etched,BCE)IZTO薄膜晶体管(thin-film transistor,TFT)像素阵列.利用N2O等离子体表面处理钝化IZTO缺陷态,提升溶液法像素级IZTO TFT器件性能,特别是光照负偏压稳定性.结果表明,经N2O等离子体处理后,器件饱和迁移率提升了接近80％,达到51.52 cm2·V–1·s–1.特别是3600 s光照负偏压稳定性从–0.3 V提升到–0.1 V,满足显示驱动的要求.这进一步说明经N2O等离子体处理后能够得到良好的溶液法像素级IZTO TFT阵列.
文献关键词：
溶液法;TFT像素阵列;N2O等离子处理;光照负偏压稳定性
中图分类号：
作者姓名：
荆斌;徐萌;彭聪;陈龙龙;张建华;李喜峰
作者机构：
上海大学材料科学与工程学院,上海 200072;上海大学, 新型显示技术及应用集成教育部重点实验室, 上海 200072
文献出处：
引用格式：
[1]荆斌;徐萌;彭聪;陈龙龙;张建华;李喜峰-.高负偏光照稳定性的溶液法像素级IZTO TFT)[J].物理学报,2022(13):404-411
A类：
IZTO,光照负偏压稳定性,偏压稳定性
B类：
偏光,溶液法,像素级,TFT,锡氧化物,indium,zinc,tin,oxide,有源,hafnium,aluminum,HAO,绝缘层,成功应用,沟道,刻蚀,back,channel,etched,BCE,薄膜晶体管,thin,film,transistor,N2O,等离子体表面处理,钝化,缺陷态,器件性能,等离子体处理,迁移率,显示驱动,明经,等离子处理
AB值：
0.348787
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