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溅射功率对钨掺杂ZnO薄膜晶体管性能的影响
文献摘要：
为有效提高薄膜晶体管的电学和光学性能,本文采用射频磁控溅射法在P型硅衬底上沉积钨掺杂氧化锌薄膜(WZO),并制备成薄膜晶体管(TFT)器件,研究钨(W)的溅射功率对WZO薄膜晶体管电学和光学性能的影响,并对WZO薄膜进行表征.实验结果表明,W的溅射功率会影响薄膜的结晶质量.随着W溅射功率的增加,薄膜结晶质量逐渐变好.达到某个值后继续增加W的溅射功率,薄膜结晶质量并没有很大的改善.本文中研究的WZO薄膜均在(002)晶面择优生长,且当W的溅射功率为2 W时,WZO薄膜晶体管综合性能最好,开关比达到5.24×105,阈值电压为16.89 V,在400～1400 nm波段平均透过率达到90％.
文献关键词：
薄膜晶体管;氧化锌钨薄膜;钨的溅射功率
中图分类号：
作者姓名：
李慧;杨小天;王艳杰;王超;杨帆;聂晓渊
作者机构：
吉林建筑大学 电气与计算机学院 吉林省建筑电气综合节能重点实验室,吉林 长春 130118;吉林建筑大学寒地建筑综合节能教育部重点实验室,吉林长春130118;吉林师范大学,吉林四平136099
文献出处：
引用格式：
[1]李慧;杨小天;王艳杰;王超;杨帆;聂晓渊-.溅射功率对钨掺杂ZnO薄膜晶体管性能的影响)[J].液晶与显示,2022(11):1439-1445
A类：
WZO,氧化锌钨薄膜,钨的溅射功率
B类：
钨掺杂,ZnO,薄膜晶体管,电学,光学性能,射频磁控溅射,磁控溅射法,硅衬底,氧化锌薄膜,TFT,结晶质量,膜结晶,变好,某个,后继,中研,晶面,择优,优生,管综,开关比,比达,阈值电压,波段,透过率
AB值：
0.243105
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