典型文献
聚乙烯醇基底上氧化物薄膜晶体管的制备及其特性
文献摘要：
本文介绍了聚乙烯醇(PVA)衬底薄膜晶体管(TFT)的器件制备、电学性能分析和器件溶解特性的演示.该器件以高介电材料氧化铪(HfO2)作为绝缘层,铝掺杂氧化锌(AZO)作为有源层,铝作为栅极、源级与漏极.采用低温磁控溅射(PVD)法成功在PVA衬底上制备出高介电常数(高k)绝缘层的薄膜晶体管,并基于该器件的绝缘层结构做了进一步优化:利用氧化铪(HfO2)氧化铝(Al2O3)的叠层结构作为绝缘层.结果表明相比于单层氧化铪绝缘层结构的TFT,叠层结构绝缘层的TFT器件性能更优,具有更低的漏电流、更高的开关比和较低的亚阈值摆幅,更适合作为聚乙烯醇衬底薄膜晶体管的绝缘层."三明治"叠层结构绝缘层的器件开/关比达到2.5×106,阈值电压为10.6 V,亚阈值摆幅为0.53 V·dec-1,载流子迁移率为3.01 cm2·V-1·s-1.
文献关键词：
薄膜晶体管;瞬态电子学;聚乙烯醇(PVA);可溶解;叠层结构绝缘层
中图分类号：
作者姓名：
蔡乾顺;杨帆;王超;王艳杰;杨小天
作者机构：
吉林建筑大学寒地建筑综合节能教育部重点实验室,吉林长春130188;吉林建筑大学电气与计算机学院,吉林长春130188;吉林师范大学,吉林四平136099
文献出处：
引用格式：
[1]蔡乾顺;杨帆;王超;王艳杰;杨小天-.聚乙烯醇基底上氧化物薄膜晶体管的制备及其特性)[J].液晶与显示,2022(12):1546-1552
A类：
叠层结构绝缘层,瞬态电子学
B类：
聚乙烯醇,氧化物薄膜晶体管,PVA,衬底,TFT,器件制备,电学性能,溶解特性,演示,高介电材料,氧化铪,HfO2,铝掺杂,氧化锌,AZO,有源,栅极,磁控溅射,PVD,介电常数,氧化铝,Al2O3,器件性能,漏电流,开关比,亚阈值摆幅,三明治,比达,阈值电压,dec,载流子迁移率,可溶解
AB值：
0.266271
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