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TFT阵列基板过孔电阻与耐流性能研究
文献摘要：
薄膜晶体管阵列基板过孔电阻大、耐流性差易发生过孔烧毁,引起显示异常.目前针对过孔电阻与耐流性影响因素及机理尚不明确,制约着未来高耐流性过孔的制备和应用.本文实验结果表明:氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)膜方块电阻减小、过孔坡度角减小、ITO膜与金属接触面积增大均可降低过孔电阻、提升过孔耐流性.结合过孔结构及机理分析指出,过孔电阻主要由ITO膜层自身电阻(RITO)及过孔接触电阻(Rcontact)组成,ITO膜方块电阻及过孔坡度角减小会使RITO减小,ITO膜与金属接触面积增大会使Rcontact减小.基板中部过孔耐流性差与中部的ITO膜方块电阻及过孔坡度角偏大有关.在满足产品光学品质标准前提下,ITO膜厚增厚、调控绝缘层膜质以及干法刻蚀参数减小坡度角、加大过孔接触面积设计是降低过孔电阻、提升过孔耐流性的有效途径.
文献关键词：
TFT阵列;过孔电阻;耐流性能
中图分类号：
作者姓名：
陈运金;欧忠星;冯玉春;林忱;刘耀;张千;陈曦;周贺;刘文瑞
作者机构：
福州京东方光电科技有限公司,福建福州350300
文献出处：
引用格式：
[1]陈运金;欧忠星;冯玉春;林忱;刘耀;张千;陈曦;周贺;刘文瑞-.TFT阵列基板过孔电阻与耐流性能研究)[J].液晶与显示,2022(03):342-350
A类：
过孔电阻,耐流性能,RITO,Rcontact
B类：
TFT,基板,薄膜晶体管,烧毁,显示异常,氧化铟锡,Indium,Tin,Oxide,方块电阻,坡度角,金属接触,接触面积,升过,孔结构,机理分析,膜层,接触电阻,小会,偏大,增厚,绝缘层,干法刻蚀
AB值：
0.197434
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