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抛光液组分对3D微同轴中铜和光刻胶化学机械抛光速率选择性的影响
文献摘要：
研究了碱性抛光液的pH、SiO2磨料质量分数、H2O2体积分数和甘氨酸质量分数对3D微同轴加工中铜和光刻胶化学机械抛光(CMP)去除速率的影响,得到较佳的抛光液组成为:SiO25％,H2O220 mL/L,甘氨酸2.5％,pH=10.采用该抛光液时,铜和光刻胶的去除速率非常接近,满足3D微同轴加工对铜和光刻胶CMP去除速率选择性的要求.
文献关键词：
三维微同轴;铜;光刻胶;化学机械抛光;碱性抛光液;去除速率
中图分类号：
作者姓名：
李森;王胜利;李红亮;王辰伟;雷双双;刘启旭
作者机构：
河北工业大学电子信息工程学院,天津 300130;天津市电子材料与器件重点实验室,天津 300130;天津市计量监督检测科学研究院,天津 300192
文献出处：
引用格式：
[1]李森;王胜利;李红亮;王辰伟;雷双双;刘启旭-.抛光液组分对3D微同轴中铜和光刻胶化学机械抛光速率选择性的影响)[J].电镀与涂饰,2022(07):486-490
A类：
碱性抛光液,SiO25,H2O220,三维微同轴
B类：
抛光液组分,光刻胶,胶化,化学机械抛光,抛光速率,速率选择性,磨料,甘氨酸,CMP,去除速率,较佳
AB值：
0.162432
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