典型文献
不同粒径SiO2磨料混合对钴化学机械抛光的影响
文献摘要：
针对钴互连化学机械抛光(CMP)高去除速率的要求,提出将不同粒径的SiO2组合作为磨料进行CMP.对比了使用单一粒径与混合粒径SiO2磨料对钴去除速率的影响.结果表明,使用单一粒径磨料时,随着磨料粒径由40 nm增大到130 nm,钴的去除速率先增大后减小,SiO2粒径为100 nm时钴的去除速率最高,达到了447 nm/min.将两种不同粒径的SiO2磨料混合使用能够显著提高钴的去除速率.将粒径为40 nm和100 nm的SiO2磨料按质量比3:1混合使用时,钴的去除速率最高,达到了563 nm/min,抛光后钴的表面粗糙度(Sq)约为1.05 nm.
文献关键词：
钴;化学机械抛光;二氧化硅;粒径;去除速率;表面粗糙度
中图分类号：
作者姓名：
郭峰;王胜利;王辰伟;张月;王强;刘光耀
作者机构：
河北工业大学电子信息工程学院,天津 300130;天津市电子材料与器件重点实验室,天津 300130
文献出处：
引用格式：
[1]郭峰;王胜利;王辰伟;张月;王强;刘光耀-.不同粒径SiO2磨料混合对钴化学机械抛光的影响)[J].电镀与涂饰,2022(23):1695-1700
A类：
B类：
不同粒径,SiO2,磨料,化学机械抛光,互连,CMP,去除速率,一粒,混合使用,表面粗糙度,Sq,二氧化硅
AB值：
0.178707
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