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焦磷酸钾和双氧水对化学机械抛光中铜/钴电偶腐蚀及去除速率的影响
文献摘要：
通过电化学测试和化学机械抛光(CMP)试验研究了pH=10的抛光液中焦磷酸钾和双氧水的质量分数对Cu/Co电偶腐蚀的影响.结果表明,适量K4P2O7和H2O2的存在能够有效减小Cu与Co之间的腐蚀电位差,最小可降至11 mV.采用由0.3％H2O2、0.1％K4P2O7和2％硅溶胶组成的抛光液进行化学机械抛光时,Cu、Co的去除速率分别为312.0?/min和475.6?/min.
文献关键词：
铜;钴;电偶腐蚀;化学机械抛光;焦磷酸钾;双氧水;去除速率
中图分类号：
作者姓名：
李浩然;张保国;李烨;阳小帆;杨朝霞
作者机构：
河北工业大学电子信息工程学院,天津 300130;天津市电子材料与器件重点实验室,天津 300130
文献出处：
引用格式：
[1]李浩然;张保国;李烨;阳小帆;杨朝霞-.焦磷酸钾和双氧水对化学机械抛光中铜/钴电偶腐蚀及去除速率的影响)[J].电镀与涂饰,2022(01):67-71
A类：
焦磷酸钾,K4P2O7
B类：
双氧水,化学机械抛光,电偶腐蚀,去除速率,电化学测试,CMP,抛光液,中焦,Co,H2O2,腐蚀电位,电位差,小可,mV,硅溶胶
AB值：
0.212845
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