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硅通孔阻挡层抛光液的研究现状和发展趋势
文献摘要：
硅通孔(TSV)阻挡层化学机械抛光(CMP)是实现TSV晶圆全局平坦化的关键技术之一,配置多功能、高效率的抛光液是提升CMP效果的重要环节.总结了 目前国内外TSV阻挡层抛光液的研究现状;研究了 TSV Ta基阻挡层抛光过程中Cu、Ta和氧化层的去除速率选择比及抛光后晶圆的表面质量;通过改变TSV阻挡层抛光液中络合剂、氧化剂和缓蚀剂等成分,可以控制Cu、Ta和氧化层的去除速率选择比,修正Cu层上的碟形坑,实现TSV晶圆的全局平坦化;最后指出开发新型的Co基和Ru基阻挡层抛光液,研制绿色环保的Ta基阻挡层抛光液产品,将成为TSV阻挡层抛光液未来研究的主要方向.
文献关键词：
硅通孔(TSV);化学机械抛光(CMP);阻挡层;去除速率选择比;表面质量
中图分类号：
作者姓名：
刘彬;王如;何彦刚;郑晴平;王帅;赵群;谢顺帆
作者机构：
河北工业大学 电子信息工程学院,天津 300130;天津市电子材料与器件重点实验室,天津 300130
文献出处：
引用格式：
[1]刘彬;王如;何彦刚;郑晴平;王帅;赵群;谢顺帆-.硅通孔阻挡层抛光液的研究现状和发展趋势)[J].半导体技术,2022(06):421-428
A类：
圆全,去除速率选择比
B类：
硅通孔,阻挡层,抛光液,TSV,层化,化学机械抛光,CMP,晶圆,平坦化,Ta,光过,氧化层,表面质量,络合剂,氧化剂,和缓,缓蚀剂,碟形坑,开发新,Co,Ru,主要方向
AB值：
0.202301
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