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聚乙二醇对浅沟槽隔离中SiO2和Si3N4化学机械抛光速率选择性的影响
文献摘要：
在CeO2磨料质量分数为0.1％,抛光液pH为10的条件下,研究了非离子表面活性剂聚乙二醇(PEG-600)对浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)过程中SiO2和Si3N4去除速率的影响.结果表明,PEG-600的加入可以明显减小Si3N4的去除速率,但对SiO2去除速率的影响较小.当PEG-600质量分数为0.2％时,SiO2和Si3N4的去除速率之比为31.04,抛光后SiO2和Si3N4的表面粗糙度(Sq)分别降到0.416 nm和0.387 nm.
文献关键词：
浅沟槽隔离;化学机械抛光;二氧化硅;氮化硅;二氧化铈;聚乙二醇;去除速率
中图分类号：
作者姓名：
张月;周建伟;王辰伟;马慧萍;李子豪;张新颖;郭峰
作者机构：
河北工业大学电子信息工程学院,天津 300130;天津市电子材料与器件重点实验室,天津 300130
文献出处：
引用格式：
[1]张月;周建伟;王辰伟;马慧萍;李子豪;张新颖;郭峰-.聚乙二醇对浅沟槽隔离中SiO2和Si3N4化学机械抛光速率选择性的影响)[J].电镀与涂饰,2022(21):1546-1551
A类：
B类：
聚乙二醇,浅沟槽隔离,SiO2,Si3N4,化学机械抛光,抛光速率,速率选择性,CeO2,磨料,抛光液,非离子表面活性剂,PEG,STI,CMP,去除速率,之比,表面粗糙度,Sq,二氧化硅,氮化硅,二氧化铈
AB值：
0.280058
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