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抛光液中各组分对Co CMP性能的影响
文献摘要：
钴(Co)的化学机械抛光(CMP)要求有较高的去除速率(大于100 nm/min)和洁净平整的表面.采用新型弱碱性抛光液,研究不同成分(如过氧化氢(H2O2)、1,2,4-三氮唑(TAZ)、异辛醇聚氧乙烯醚(JFCE))对Co CMP性能的影响.结果 表明,抛光液中H2O2体积分数为0.4％、pH值为8、甘氨酸(GLY)浓度为0.266 mol/L时,Co的去除速率最大,为763.53 nm/min.为了缓解Co表面的化学腐蚀,加入0.022 mol/L的TAZ作为抑制剂和体积分数为1.3％的JFCE作为表面活性剂后,Co的去除速率得到有效抑制,为489.74 nm/min.对抛光前后的Co表面进行原子力显微镜(AFM)测试,结果表明,Co表面湿润性增加,表面粗糙度明显下降.研究结果对Co布线的工业应用具有一定的指导意义.
文献关键词：
化学机械抛光(CMP);钴(Co);去除速率;表面粗糙度;抛光液
中图分类号：
作者姓名：
冯子璇;崔浩祥;杨程辉;孙晓琴;牛新环
作者机构：
河北工业大学电子信息工程学院,天津 300130;天津市电子材料与器件重点实验室,天津 300130
文献出处：
引用格式：
[1]冯子璇;崔浩祥;杨程辉;孙晓琴;牛新环-.抛光液中各组分对Co CMP性能的影响)[J].半导体技术,2022(01):37-41,76
A类：
碱性抛光液,JFCE
B类：
Co,CMP,化学机械抛光,去除速率,洁净,弱碱,同成分,H2O2,三氮唑,TAZ,异辛醇,聚氧乙烯醚,甘氨酸,GLY,化学腐蚀,表面活性剂,原子力显微镜,AFM,湿润性,表面粗糙度,布线,工业应用
AB值：
0.247755
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