典型文献
IC铜布线抛光及后清洗中缓蚀剂BTA吸附及去除的研究进展
文献摘要：
首先从吸附能的角度论述了苯并三唑(BTA)在铜上的吸附类型以及成膜过程,然后综述了关于铜化学机械抛光(CMP)后清洗中去除残留BTA的研究进展,最后对新型缓蚀剂的出现以及在集成电路制造中应用的缓蚀剂的未来研究方向进行了概述.
文献关键词：
铜;化学机械抛光;苯并三唑;吸附等温线;配合物;缓蚀剂;清洗;综述
中图分类号：
作者姓名：
王静;高宝红;刘世桐;吴彤熙;檀柏梅
作者机构：
河北工业大学电子信息工程学院,天津 300130;河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室,天津 300130
文献出处：
引用格式：
[1]王静;高宝红;刘世桐;吴彤熙;檀柏梅-.IC铜布线抛光及后清洗中缓蚀剂BTA吸附及去除的研究进展)[J].电镀与涂饰,2022(03):203-210
A类：
B类：
IC,布线,缓蚀剂,BTA,吸附能,苯并三唑,成膜,化学机械抛光,CMP,集成电路制造,未来研究方向,吸附等温线,配合物
AB值：
0.29674
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