典型文献
微纳米台阶标准的制备和评价
文献摘要：
台阶高度是半导体技术中重要的工艺参数,其准确度直接影响器件的整体性能.为了精确控制和表征台阶高度参数,制备了一套8 nm～50μm的台阶高度标准进行测量技术研究.首先,通过半导体热氧化工艺、反应离子刻蚀工艺制备台阶标准.其次,基于白光干涉仪评估台阶上下表面平行度、表面粗糙度、均匀性和稳定性四项质量参数.结果表明,台阶上下表面平行度为0.4′～2.7°,标准台阶表面粗糙度为0.46 nm～6.50 nm,台阶两侧表面粗糙度为0.44 nm～0.46 nm;均匀性为0.5 nm～5.9 nm,稳定性为0.2 nm～11.2 nm.最后,与美国VLSI相同标称高度的台阶标准相比,标称高度为50μm的台阶标准表面粗糙度较差,均匀性略好,其余质量参数均相当.
文献关键词：
微纳米;台阶高度;制备;白光干涉仪;平行度;粗糙度;均匀性;稳定性
中图分类号：
作者姓名：
冯亚南;李锁印;韩志国;吴爱华
作者机构：
中国电子科技集团公司第十三研究所,河北 石家庄050051
文献出处：
引用格式：
[1]冯亚南;李锁印;韩志国;吴爱华-.微纳米台阶标准的制备和评价)[J].传感技术学报,2022(11):1445-1450
A类：
标准台
B类：
微纳米,台阶高度,半导体技术,响器,整体性能,精确控制,测量技术研究,过半,体热,热氧化,氧化工艺,离子刻蚀,刻蚀工艺,工艺制备,白光干涉仪,下表面,平行度,表面粗糙度,四项,质量参数,VLSI,标称,标准表,参数均
AB值：
0.279944
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
