典型文献
用于量子电压基准中约瑟夫森结阵列的CMP平整化工艺研究
文献摘要：
化学机械平坦化(chemical mechanical planarization,CMP)工艺处理Si02绝缘层是一种获得高度集成化超导电路的关键技术,尤其适合于多层堆叠约瑟夫森结阵列器件的平整化.设计了应用于热氧化生长的Si02薄膜和化学气象沉积生长的Si02薄膜的CMP工艺,得出两种薄膜的抛光速率分别为2 nm/s和3 nm/s,晶圆的全局材料去除高度差均在20 nm以内.并将CMP工艺应用到约瑟夫森结阵列的制作流程,结单元结构AFM高度轮廓扫描显示台阶高度由240 nm减小到约25 nm,其上的Si02绝缘层2×2μm2区域内的表面粗糙度为0.535 nm,提供了后续器件制备所需的工艺窗口.
文献关键词：
计量学;约瑟夫森结阵列;化学机械平整化
中图分类号：
作者姓名：
赵欣;曹文会;李劲劲
作者机构：
中国计量科学研究院前沿计量科学中心,北京102200
文献出处：
引用格式：
[1]赵欣;曹文会;李劲劲-.用于量子电压基准中约瑟夫森结阵列的CMP平整化工艺研究)[J].计量学报,2022(03):412-415
A类：
量子电压,约瑟夫森结阵列,化学机械平整化
B类：
CMP,化学机械平坦化,chemical,mechanical,planarization,工艺处理,Si02,绝缘层,高度集成,集成化,超导电路,堆叠,阵列器件,热氧化,沉积生长,抛光速率,晶圆,材料去除,高度差,工艺应用,制作流程,单元结构,AFM,轮廓扫描,台阶高度,表面粗糙度,器件制备,工艺窗口
AB值：
0.293595
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