典型文献
单层MoS2(1-x)Se2x合金的合成及MoS2(1-x)Se2x(x=0.25)场效应晶体管的光电特性
文献摘要：
二硫化钼的合金化/掺杂是探索二维材料在微电子器件中潜在应用的一种新途径.使用化学气相沉积法,并利用氯化钠辅助生长,通过调节硫粉和硒粉的质量比,在SiO2/Si衬底上获得了6种不同组分的单层MoS2(1-x)Se2x合金,光致发光峰位置在678(～1.83 eV)～813 nm(～1.53 eV)范围内变化.连续生长的大面积单层MoS2(1-x)Se2x(x=0.25)合金的横向尺寸可达到200 μm.为了研究MoS2(1-x)Se2x合金的光电特性,使用了大面积生长的单层MoS2(1-x)Se2x(x=0.25)合金制备了场效应晶体管.光电测试结果表明,520nm激光照射下的单层MoS2(1-x)Se2x(x=0.25)场效应晶体管响应度达到了940 mA·W-1,检测率为5.32×1010cm,Hz1/2·W-1,快速响应时间为8ms.
文献关键词：
材料;硫硒化钼;化学气相沉积;过渡金属硫族化合物;带隙可调;场效应晶体管
中图分类号：
作者姓名：
张佩茹;刘欢;胡加兴;邓立儿
作者机构：
西安工业大学光电工程学院,陕西西安710021
文献出处：
引用格式：
[1]张佩茹;刘欢;胡加兴;邓立儿-.单层MoS2(1-x)Se2x合金的合成及MoS2(1-x)Se2x(x=0.25)场效应晶体管的光电特性)[J].光学学报,2022(16):177-185
A类：
Se2x,1010cm,硫硒化钼
B类：
MoS2,场效应晶体管,光电特性,二硫化钼,合金化,二维材料,微电子器件,潜在应用,化学气相沉积法,氯化钠,硫粉,硒粉,SiO2,衬底,不同组分,光致发光,eV,横向尺寸,电测试,520nm,激光照射,射下,响应度,mA,检测率,Hz1,快速响应,响应时间,8ms,过渡金属硫族化合物,带隙可调
AB值：
0.300169
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