典型文献
硒化铟材料的发展及其光电器件应用
文献摘要：
自2004年发现石墨烯以来,二维材料以其丰富的带隙结构、独特的光电特性和无悬挂键的范德瓦耳斯表面等,极大地拓宽了半导体电子、光电子器件的设计维度.其中二维硒化铟材料成为最具竞争力的未来高迁移率光电子器件用候选材料,被诺贝尔奖获得者Andre Geim认为是"硅和石墨烯的'黄金分割点'".但人们对二维硒化铟材料的研究仅有不到十年的时间,对其制备及应用的认识仍然不足.本文综述了二维硒化铟材料及其光电器件的研究现状.另外,考虑到目前绝大多数二维硒化铟材料的研究是基于块状单晶体材料的机械剥离开始的,因此本文首先回顾了硒化铟晶体结构的认识及其制备方法的发展历程,在此基础上综述了二维硒化铟材料制备及其性能表征的前沿研究结果,探讨了器件结构、材料制备方法等因素对二维硒化铟场效应晶体管和光探测器电学输运特性的影响,最后分析了未来硒化铟材料及器件应用面临的机遇与挑战.
文献关键词：
二维材料;硒化铟;晶体生长;场效应晶体管;光探测器
中图分类号：
作者姓名：
赵清华;郑丹;陈鹏;王涛;介万奇
作者机构：
西北工业大学,辐射探测材料与器件工信部重点实验室,西安 710072;西北工业大学深圳研究院,深圳 518063
文献出处：
引用格式：
[1]赵清华;郑丹;陈鹏;王涛;介万奇-.硒化铟材料的发展及其光电器件应用)[J].人工晶体学报,2022(09):1703-1721
A类：
硒化铟
B类：
光电器件,器件应用,石墨烯,二维材料,带隙结构,光电特性,悬挂,范德瓦,光电子器件,中二,高迁移率,选材,诺贝尔奖,获得者,Andre,Geim,黄金分割,分割点,数二,块状,单晶体,晶体材料,机械剥离,晶体结构,性能表征,前沿研究,器件结构,材料制备方法,场效应晶体管,光探测器,电学输运,输运特性,应用面,晶体生长
AB值：
0.290257
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