典型文献
GeS/MoS2异质结电子结构及光学性能的第一性原理研究
文献摘要：
以MoS2、GeS为代表的二维层状材料在光学、电学等方面表现出优异的物理性能.如何将两者的优良性能结合,同时获得具有新的协同功能的复合材料对电子器件的发展和应用具有重要意义.本文采用密度泛函理论的第一性原理计算方法,对GeS/MoS2异质结的电子结构及光学性质进行了系统研究,并探索了界面间距、应变和电场对异质结电子结构和光学性能的影响.研究结果表明,GeS/MoS2异质结是Ⅱ型能带排列,该能带排列有利于光生电子-空穴对的分离.进一步研究发现,通过应变和电场等手段可以实现对GeS/MoS2异质结能带排列及光吸收系数的有效调控.该研究结果表明GeS/MoS2异质结在光催化、光电器件等领域具有潜在的应用,为设计与制备GeS/MoS2相关的光电器件提供了理论指导.
文献关键词：
GeS/MoS2异质结;二维层状材料;电子结构;光学性能;界面间距;应变;电场;第一性原理
中图分类号：
作者姓名：
梁志华;谭秋红;王前进;刘应开
作者机构：
云南师范大学物理与电子信息学院,昆明 650500;云南省光电信息技术重点实验室,昆明 650500
文献出处：
引用格式：
[1]梁志华;谭秋红;王前进;刘应开-.GeS/MoS2异质结电子结构及光学性能的第一性原理研究)[J].人工晶体学报,2022(03):459-470
A类：
B类：
GeS,MoS2,异质结,电子结构,光学性能,第一性原理研究,二维层状材料,电学,物理性能,优良性,协同功能,电子器件,密度泛函理论,第一性原理计算方法,光学性质,界面间距,带排,列有,光生电子,空穴,光吸收系数,有效调控,结在,光催化,光电器件
AB值：
0.250901
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
