典型文献
低功耗高迁移率有机单晶场效应晶体管
文献摘要：
不断发展的柔性电子产品需要开发兼具高迁移率和低功率的有机场效应晶体管(OFET),这对于新兴的显示器、传感器和标签科技都至关重要.在众多材料中,聚合物栅极电介质和二维有机晶体为构建高性能OFET提供了本征柔性和天然的相容性,但是,两者的结合仍然缺少无杂质、无损伤的构筑策略.在此,我们通过一种无损转移技术将二维有机二萘并[2,3-b:2',3'-f]噻吩并[3,2-b]噻吩(DNTT)单晶转移到一种独特的聚合物介电层(聚酰胺酸(PAA))上,构筑了一个理想的OFET体系.得益于PAA表面独特的纳米结构和二维有机单晶的长程有序特性,所得的OFET器件表现出优异的性能,包括18.7 cm2 V-1s-1的最高迁移率和-3 V的低工作电压.这些结果说明将聚合物栅极介电层与二维有机单晶高质量结合是构筑高性能柔性电子器件的理想途径.
文献关键词：
中图分类号：
作者姓名：
付倍倍;孙玲杰;刘磊;纪德洋;张小涛;杨方旭;胡文平
作者机构：
文献出处：
引用格式：
[1]付倍倍;孙玲杰;刘磊;纪德洋;张小涛;杨方旭;胡文平-.低功耗高迁移率有机单晶场效应晶体管)[J].中国科学：材料科学（英文）,2022(10):2779-2785
A类：
DNTT,二维有机单晶
B类：
低功耗,高迁移率,电子产品,低功率,有机场效应晶体管,OFET,显示器,多材料,栅极,电介质,有机晶体,相容性,无杂质,无损伤,构筑策略,噻吩,介电层,聚酰胺酸,PAA,纳米结构,长程有序,有序特性,1s,工作电压,柔性电子器件
AB值：
0.29794
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