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基于10 keV X射线的总剂量效应实验技术实现与应用
文献摘要：
采用X射线作为辐射源开展总剂效应实验是一种可行有效的总剂量效应研究手段.本文首先简要介绍项目组搭建的一台基于10 keV X射线的总剂量效应实验平台的基本组成和各模块功能,并给出了 10 keVX射线源辐射场的各项指标测量结果,包括剂量率、能谱特性和辐射场面积等信息.在此基础上,给出了该平台在晶圆级电参数测量时的性能指标,平台提供的探卡测试解决方案,可实现48通道的并行辐照加偏和效应测试,小电压测量时漏电流小于10 pA.最后,利用该平台对40 nm工艺MOSFET开展了总剂量效应研究,获得了该器件的效应规律和损伤机制.结果表明:搭建的10 keVX射线的总剂量效应实验平台对国产电子器件抗辐射加固技术研究具有重要意义.
文献关键词：
总剂量效应;X射线;实验平台;纳米MOSFET器件
中图分类号：
作者姓名：
马武英;张鹏飞;陈伟;姚志斌;丛培天;何宝平;董观涛
作者机构：
强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室;西北核技术研究所 西安710024
文献出处：
引用格式：
[1]马武英;张鹏飞;陈伟;姚志斌;丛培天;何宝平;董观涛-.基于10 keV X射线的总剂量效应实验技术实现与应用)[J].现代应用物理,2022(01):152-156
A类：
keVX
B类：
总剂量效应,效应实验,实验技术,辐射源,研究手段,项目组,一台,台基,实验平台,模块功能,线源,辐射场,指标测量,剂量率,场面,晶圆级,电参数测量,辐照,电压测量,漏电流,pA,MOSFET,效应规律,损伤机制,产电,电子器件,抗辐射加固,加固技术
AB值：
0.311327
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