典型文献
重离子辐照导致的SiC肖特基势垒二极管损伤机理
文献摘要：
基于高能Ta离子辐照研究了SiC肖特基势垒二极管的失效模式和机理,实验表明辐照过程中的反向偏置电压是影响SiC肖特基势垒二极管器件失效的关键因素.当器件反向偏置在400 V时,重离子会导致器件的单粒子烧毁,辐照后的器件出现了因SiC材料熔融形成的"孔洞";当器件反向偏置在250—300 V时,器件失效表现为关态漏电流随着离子注量增加而增加,且器件的偏压越高,重离子导致的漏电增加率也越高.对于发生漏电增加的器件,基于显微分析技术发现了分布在整个有源区内重离子导致的漏电通道.TCAD仿真结果表明,重离子入射会导致器件内部的晶格温度上升,且最大晶格温度随着偏置电压的增加而增加.当偏置电压足够大时,器件内部的局部晶格温度达到了SiC材料的熔点,最终导致单粒子烧毁;当偏置电压较低时,重离子入射导致的晶格温度增加低于SiC材料的熔点,因此不会造成烧毁.但由于器件内部最大的晶格温度集中在肖特基结附近,且肖特基金属的熔点要远低于SiC材料,因此这可能导致肖特基结的局部损伤,最终产生漏电通路.
文献关键词：
SiC功率器件;肖特基势垒二极管;重离子辐射效应
中图分类号：
作者姓名：
彭超;雷志锋;张战刚;何玉娟;陈义强;路国光;黄云
作者机构：
工业和信息化部电子第五研究所,电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室,广州 511370
文献出处：
引用格式：
[1]彭超;雷志锋;张战刚;何玉娟;陈义强;路国光;黄云-.重离子辐照导致的SiC肖特基势垒二极管损伤机理)[J].物理学报,2022(17):247-254
A类：
失效模式和机理,重离子辐射效应
B类：
重离子辐照,SiC,肖特基势垒二极管,管损,损伤机理,Ta,照过,偏置电压,子会,单粒子烧毁,熔融,孔洞,漏电流,偏压,增加率,显微分析,技术发现,有源,源区,电通,TCAD,入射,晶格,熔点,肖特基结,功率器件
AB值：
0.210491
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