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H2和H2O对双极器件抗辐射性能的影响规律和机制
文献摘要：
为了深入研究H2和H2O进入氧化层后对双极器件辐射效应的影响机制,以栅控双极晶体管为研究载体,分别开展了不同浓度H2浸泡中的辐照试验和温湿度试验后的总剂量辐照试验.试验结果表明,随着氢气浸泡浓度的增加,器件的抗辐射能力逐渐降低;而温湿度试验后,由于水汽的进入,器件在随后的辐照试验过程中辐射损伤呈增大趋势.在此基础上,利用栅控栅扫描法进行氧化层辐射感生缺陷的定量分离,发现H2和H2O进入器件氧化层后,均会造成辐射感生界面陷阱电荷Nit的增加,并在一定程度上降低辐射感生氧化物陷阱电荷Not的量,结合理论分析进一步给出了H2和H2O造成器件损伤增强的潜在机制.研究成果对于辐射环境用电子系统的抗辐射性能评价和应用具有参考意义.
文献关键词：
双极器件;电离总剂量;湿度;氢;γ射线
中图分类号：
作者姓名：
马武英;缑石龙;郭红霞;姚志斌;何宝平;王祖军;盛江坤
作者机构：
西安交通大学 核科学与技术学院,陕西 西安 710049;西北核技术研究所 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,陕西 西安 710024
文献出处：
引用格式：
[1]马武英;缑石龙;郭红霞;姚志斌;何宝平;王祖军;盛江坤-.H2和H2O对双极器件抗辐射性能的影响规律和机制)[J].太赫兹科学与电子信息学报,2022(09):897-902
A类：
双极器件,温湿度试验,界面陷阱电荷,Nit,抗辐射性能评价
B类：
H2O,氧化层,辐射效应,栅控,双极晶体管,辐照试验,总剂量辐照,氢气,辐射能力,水汽,试验过程,辐射损伤,扫描法,感生,定量分离,低辐射,Not,成器,潜在机制,辐射环境,电子系统,电离总剂量
AB值：
0.243364
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