典型文献
基于0.18 μm CMOS加固工艺的抗辐射设计
文献摘要：
为降低抗辐射设计对元器件基本性能的影响,基于0.18μm CMOS加固工艺,通过场区注入工艺实现总剂量(Total Ionizing Dose,TID)加固,优化版图设计规则实现单粒子闩锁(Single Event Latch-up,SEL)加固,灵活设计不同翻转指标要求实现单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)加固.利用以上加固方法设计的电路,证明了加固工艺平台下的抗辐射电路在抗辐射性能及面积上具有明显优势.
文献关键词：
抗辐射;总剂量;单粒子闩锁;单粒子翻转;全局三模冗余
中图分类号：
作者姓名：
姚进;周晓彬;左玲玲;周昕杰
作者机构：
中科芯集成电路有限公司,江苏无锡214072
文献出处：
引用格式：
[1]姚进;周晓彬;左玲玲;周昕杰-.基于0.18 μm CMOS加固工艺的抗辐射设计)[J].电子与封装,2022(01):77-81
A类：
Upset,全局三模冗余
B类：
CMOS,加固工艺,元器件,基本性能,过场,场区,注入工艺,总剂量,Total,Ionizing,Dose,TID,版图设计,设计规则,单粒子闩锁,Single,Event,Latch,up,SEL,灵活设计,指标要求,求实,单粒子翻转,SEU,加固方法,方法设计,台下,抗辐射性,辐射性能
AB值：
0.434204
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