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HfO2/SiO2-Si型MOS器件陷阱电荷的γ辐照效应及退火效应
文献摘要：
基于γ辐照和退火过程的电容-电压和电导-电压曲线,分析了氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷的变化规律,研究了 HfO2/SiO2-Si结构MOS器件的60Coγ辐照及退火效应.研究结果表明:当辐照剂量为500 Gy时,氧化层陷阱电荷以俘获负电荷为主;当辐照剂量大于500 Gy时,以俘获正电荷为主;当辐照剂量为500 Gy～100 kGy时,氧化层陷阱电荷随辐照剂量呈线性变化关系;当辐照剂量大于100 kGy时,呈亚线性变化关系;当辐照剂量为400 kGy时,在以天为量级的退火过程中,氧化层陷阱电荷随退火时间呈准线性变化关系;长期退火效应导致的氧化层陷阱电荷的减少量占辐照产生量的18％.
文献关键词：
辐照效应;退火效应;MOS器件;氧化层陷阱电荷;界面陷阱电荷
中图分类号：
作者姓名：
姜文翔;张修瑜;王佳良;崔博;孟宪福;于晓飞;李嫚;石建敏;薛建明;王新炜
作者机构：
中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川绵阳621900;北京大学物理学院,北京100871;北京大学深圳研究生院新材料学院,广东深圳518055
文献出处：
引用格式：
[1]姜文翔;张修瑜;王佳良;崔博;孟宪福;于晓飞;李嫚;石建敏;薛建明;王新炜-.HfO2/SiO2-Si型MOS器件陷阱电荷的γ辐照效应及退火效应)[J].现代应用物理,2022(02):129-136
A类：
氧化层陷阱电荷,界面陷阱电荷
B类：
HfO2,SiO2,MOS,辐照效应,退火效应,电压曲线,60Co,辐照剂量,俘获,负电荷,正电荷,kGy,线性变化,变化关系,退火时间,准线,产生量
AB值：
0.176303
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