典型文献
国产先进工艺SoC器件空间单粒子效应试验研究
文献摘要：
国产某型号导航SoC器件采用55 nm商用工艺生产.针对该型器件的辐射敏感性分析表明其易受单粒子效应影响,为此利用重离子加速器完成空间单粒子辐照的地面模拟试验,考查器件的单粒子效应,为其空间应用提供数据支撑.结果表明:器件抗单粒子锁定的LET阈值大于81.4 MeV·cm2/mg,满足空间应用指标要求;但器件对单粒子翻转和单粒子功能中断较为敏感.利用ForeCAST软件计算得到GEO、Adams 90％最坏环境模型,3 mm(Al)屏蔽条件下器件的DFT模式单粒子翻转率为6.80×10-8 d-1·bit-1,SRAM模式单粒子翻转率为5.61×10-11 d-1·bit-1,单粒子功能中断率为5.24×10-5 d-1,在轨应用时需要采取相应的防护措施.
文献关键词：
SoC;单粒子翻转;单粒子锁定;单粒子功能中断;辐照试验
中图分类号：
作者姓名：
杨榕;杜卓宏;王乾元;李嘉伟;孙毅;吕贺;张洪伟;梅博
作者机构：
中国航天宇航元器件工程中心;国防科技工业抗辐照应用技术创新中心 北京 100029
文献出处：
引用格式：
[1]杨榕;杜卓宏;王乾元;李嘉伟;孙毅;吕贺;张洪伟;梅博-.国产先进工艺SoC器件空间单粒子效应试验研究)[J].航天器环境工程,2022(02):193-199
A类：
单粒子锁定,ForeCAST
B类：
先进工艺,SoC,单粒子效应,应试,商用,辐射敏感性,重离子加速器,单粒子辐照,地面模拟试验,考查,空间应用,LET,MeV,指标要求,单粒子翻转,单粒子功能中断,软件计算,GEO,Adams,环境模型,屏蔽,DFT,bit,SRAM,在轨应用,防护措施,辐照试验
AB值：
0.303659
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