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横向PNP晶体管质子辐照损伤的缺陷间能级耦合机制
文献摘要：
为分析质子电离对位移损伤效应的影响机制,基于栅控电荷分离方法,对比分析了横向PNP晶体管3 MeV质子辐照与反应堆中子辐照位移损伤效应的差异,并对质子辐照后的长期退火特征进行了分析.通过对栅扫描峰值展宽机理的分析,提出了位移损伤深能级缺陷与界面浅能级缺陷之间的耦合机制.研究结果表明,当深能级与浅能级缺陷同时存在时,缺陷间的电荷转移将会显著加剧电子器件的载流子复合过程.
文献关键词：
位移损伤;缺陷能级;质子辐照;中子辐照;横向晶体管
中图分类号：
作者姓名：
刘岩;陈伟;王忠明;王茂成;王迪;刘卧龙;王百川;杨业;姚志斌;郭晓强;王晨辉;白小燕
作者机构：
强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室;西北核技术研究所 西安710024
文献出处：
引用格式：
[1]刘岩;陈伟;王忠明;王茂成;王迪;刘卧龙;王百川;杨业;姚志斌;郭晓强;王晨辉;白小燕-.横向PNP晶体管质子辐照损伤的缺陷间能级耦合机制)[J].现代应用物理,2022(01):75-82
A类：
横向晶体管
B类：
PNP,质子辐照,辐照损伤,耦合机制,电离,位移损伤效应,栅控,电荷分离,分离方法,MeV,反应堆,中子辐照,对质,退火,展宽,深能级缺陷,电荷转移,电子器件,载流子复合,缺陷能级
AB值：
0.326999
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