典型文献
深紫外计算光刻技术研究
文献摘要：
光刻机是极大规模集成电路制造的核心装备,深紫外光刻机是用于先进技术节点芯片制造的主流光刻设备.光刻机的成像质量直接影响光刻机性能指标,是光刻机正常工作的前提.作为提高光刻成像质量的重要手段,计算光刻技术在光刻机软硬件不变的条件下,采用数学模型和软件算法对照明光源、掩模图形和工艺参数等进行优化,使目标图形高保真度地成像到硅片上.光刻成像模型是计算光刻技术的基础,成像模型仿真精度和速度的不断提高支撑了计算光刻技术的发展.结合本团队的研究工作,介绍了光刻成像模型的发展,总结了光学邻近效应修正技术、光源掩模优化技术和逆向光刻技术这三种主要计算光刻技术的研究进展.
文献关键词：
深紫外光刻;计算光刻;光源掩模优化;光学邻近效应修正;逆向光刻技术
中图分类号：
作者姓名：
陈国栋;张子南;李思坤;王向朝
作者机构：
中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室,上海201800;中国科学院大学材料与光电研究中心,北京100049
文献出处：
引用格式：
[1]陈国栋;张子南;李思坤;王向朝-.深紫外计算光刻技术研究)[J].激光与光电子学进展,2022(09):93-111
A类：
计算光刻,光学邻近效应修正,光源掩模优化,逆向光刻,逆向光刻技术
B类：
光刻机,大规模集成电路,集成电路制造,核心装备,深紫外光刻,先进技术,芯片制造,流光,成像质量,刻成,软件算法,照明光源,标图,高保真度,硅片,成像模型,模型仿真,仿真精度,高支,本团,优化技术
AB值：
0.161504
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