典型文献
基于多层抗蚀剂的GaAs基微纳光栅深刻蚀工艺
文献摘要：
采用电子束光刻技术制备出了深刻蚀的GaAs基微纳光栅.针对电子束曝光过程中存在的由邻近效应引起的光栅结构图形失真和变形的问题,本课题组采用厚度较薄的PMMA A4抗蚀剂和SiO2薄膜形成多层抗蚀剂来减小邻近效应,同时将SiO2薄膜作为硬掩模,实现了高深宽比的光栅结构.此外,针对电感耦合等离子体刻蚀过程中光栅结构出现长草的现象,通过增强电感耦合等离子体的物理刻蚀机制,有效消除了结构底部的草状结构.扫描电镜测试结果显示:将100 nm厚SiO2作为硬掩模,可以实现周期为1.00 μm、占空比为0.45、刻蚀深度为1.02 μm的光栅结构,该光栅结构具有陡直的侧壁形貌以及良好的周期性和均匀性.在该工艺条件下,电感耦合等离子体刻蚀工艺对SiO2掩模的刻蚀选择比可达26.9∶1.最后,将该结构应用于分布式布拉格反射锥形半导体激光器中,获得了线宽为40 pm的激光输出.这表明,采用电子束光刻技术制备的光栅结构对半导体激光器具有很好的选模特性.
文献关键词：
光栅;电子束光刻;邻近效应;干法刻蚀;长草现象
中图分类号：
作者姓名：
杨晶晶;范杰;马晓辉;邹永刚;王琦琦
作者机构：
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春130022
文献出处：
引用格式：
[1]杨晶晶;范杰;马晓辉;邹永刚;王琦琦-.基于多层抗蚀剂的GaAs基微纳光栅深刻蚀工艺)[J].中国激光,2022(03):163-170
A类：
锥形半导体激光器,长草现象
B类：
GaAs,微纳光栅,刻蚀工艺,电子束光刻,光刻技术,电子束曝光,光过,邻近效应,光栅结构,结构图,失真,PMMA,A4,SiO2,掩模,高深宽比,电感耦合等离子体,等离子体刻蚀,强电,扫描电镜测试,占空比,刻蚀深度,陡直,侧壁,工艺条件,刻蚀选择比,结构应用,分布式布拉格反射,线宽,pm,激光输出,模特,干法刻蚀
AB值：
0.287308
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
