典型文献
光纤基底TiNi形状记忆合金薄膜制备工艺
文献摘要：
将TiNi基记忆合金薄膜与光纤相结合可制成智能化、集成化且成本经济的微机电系统和微传感器件.本文采用磁控溅射法在二氧化硅光纤基底上制备TiNi记忆合金薄膜,系统讨论了溅射工艺参数以及后续退火处理对薄膜质量的影响.采用自研制光纤镀膜掩膜装置在直径为125μm的光纤圆周表面上形成均匀薄膜.实验表明:在靶基距、背底真空度、Ar气流量和溅射时间一定的条件下,溅射功率存在最佳值;溅射压强较大时,薄膜沉积速率较低,但薄膜表面粗糙度较小.进行退火处理后,薄膜形成较良好的晶体结构,Ti49.09Ni50.91薄膜中马氏体B19′相和奥氏体B2相共存,但以B19′为主.根据本文研究结果,在玻璃光纤基底上制备高质量的TiNi基记忆合金薄膜是可实现的,本工作为下一步研制微机电系统和微型传感器做了基础准备.
文献关键词：
光纤;TiNi薄膜;磁控溅射;工艺参数
中图分类号：
作者姓名：
党俊坡;江秀娟;唐振华
作者机构：
广东工业大学机电工程学院,广州 510006;广东工业大学物理与光电工程学院,广州 510006
文献出处：
引用格式：
[1]党俊坡;江秀娟;唐振华-.光纤基底TiNi形状记忆合金薄膜制备工艺)[J].物理学报,2022(03):72-81
A类：
Ti49,09Ni50
B类：
TiNi,形状记忆合金,金薄膜,薄膜制备,制备工艺,集成化,微机电系统,微传感器,传感器件,磁控溅射法,二氧化硅,硅光,射工,退火处理,薄膜质量,镀膜,掩膜,圆周,周表,成均,真空度,Ar,溅射时间,溅射功率,最佳值,薄膜沉积,沉积速率,表面粗糙度,晶体结构,中马,马氏体,B19,奥氏体,B2,玻璃光纤,微型传感器
AB值：
0.347595
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