典型文献
机械磨抛对CdZnTe薄膜阻变特性的影响
文献摘要：
采用磁控溅射法在ITO玻璃上制备了CdZnTe薄膜,探究机械磨抛对CdZnTe薄膜阻变特性的影响.通过对XRD图谱、Raman光谱、AFM显微照片等实验结果分析阐明了机械磨抛影响CdZnTe薄膜阻变特性的物理机制.研究结果表明,磁控溅射制备的薄膜为闪锌矿结构,F43m空间群.机械磨抛提高了CdZnTe薄膜的结晶质量;CdZnTe薄膜粗糙度(Ra)由磨抛前的3.42 nm下降至磨抛后的1.73 nm;磨抛后CdZnTe薄膜透过率和162 cm-1处的类CdTe声子峰振动峰增强;CdZnTe薄膜的阻变开关比由磨抛前的1.2增加到磨抛后的4.9.机械磨抛提高CdZnTe薄膜质量及阻变特性的原因可能是CdZnTe薄膜在磨抛过程中发生了再结晶.
文献关键词：
CdZnTe;磁控溅射;机械磨抛;粗糙度;表面缺陷;阻变特性;再结晶
中图分类号：
作者姓名：
孔帅;吴敏;聂凡;曾冬梅
作者机构：
北京石油化工学院新材料与化工学院,北京 102617
文献出处：
引用格式：
[1]孔帅;吴敏;聂凡;曾冬梅-.机械磨抛对CdZnTe薄膜阻变特性的影响)[J].人工晶体学报,2022(11):1878-1883
A类：
机械磨抛,F43m
B类：
CdZnTe,阻变特性,磁控溅射法,ITO,Raman,AFM,显微照片,实验结果分析,物理机制,闪锌矿,结晶质量,粗糙度,透过率,CdTe,声子,开关比,薄膜质量,再结晶,表面缺陷
AB值：
0.209943
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
