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磁控溅射功率对β-Ga2O3薄膜特性的影响
文献摘要：
近年来,第三代宽禁带半导体材料β-Ga2O3受到越来越多的关注,在材料制备、掺杂、刻蚀等方面都有广泛研究.射频磁控溅射是常用的β-Ga2O3薄膜制备方法之一,而磁控溅射法制膜往往需要进行退火处理以提高薄膜质量.本文研究溅射功率对射频磁控溅射在C面蓝宝石基底上制备得到的β-Ga2O3薄膜特性的影响.X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)表征结果表明,随着溅射功率的增大,半峰宽呈现先增大后减小再增大的趋势,晶粒尺寸变化与之相反.此外,通过积分球式分光光度计,研究了溅射功率对β-Ga2O3薄膜光学特性的影响.光学特性方面,薄膜吸光度随着波长的增加,先升高后下降、再升高再下降,最后吸收边在700 nm附近截止,不同溅射功率制备的薄膜吸收光谱都存在两个吸收峰.
文献关键词：
β-Ga2O3;射频磁控溅射;溅射功率;半峰宽;晶粒尺寸
中图分类号：
作者姓名：
冉景杨;高灿灿;马奎;杨发顺
作者机构：
贵州大学 电子科学系,贵阳550025;贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳550025;半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心,贵阳550025
文献出处：
引用格式：
[1]冉景杨;高灿灿;马奎;杨发顺-.磁控溅射功率对β-Ga2O3薄膜特性的影响)[J].原子与分子物理学报,2022(04):90-94
A类：
B类：
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AB值：
0.284938
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