典型文献
掺铒Ge-Ga-Se波导放大器研究
文献摘要：
用磁控溅射法制备了不同浓度的高质量掺铒Ge-Ga-Se薄膜.用X射线衍射仪、拉曼以及荧光光谱测量了薄膜的结构和光学性质,当掺杂铒浓度为约1 at.％时,退火薄膜显示出强的光致发光和0.98 ms的荧光寿命.用COMSOL Multiphysics软件包优化了脊型硫系波导的结构参数,在薄膜总厚度为600 nm、刻蚀深度为200 nm时,2μm和4μm宽的脊型波导中传输光能够最大限度地与稀土有源层之间产生相互作用.根据设计的结构参数,通过控制刻蚀气体流量比,在CHF3:CF4=20:10、总的刻蚀气压为0.8 Pa、刻蚀功率为500 W的最优的刻蚀条件下,制备出侧壁光滑、形貌良好的脊型硫系波导;用截断法测得了1310 nm处的传播损耗为1.7 dB/cm,2.8 cm长的波导在1.55μm处的增益为6.7 dB.结果表明稀土掺杂硫系波导作为片上光学放大器件具有良好的应用前景.
文献关键词：
光学放大器;脊型波导;射频溅射;GeGaSe;光学特性
中图分类号：
作者姓名：
魏腾秀;杨振;邬健;孙元欢;王荣平
作者机构：
宁波大学 高等技术研究院 红外材料与器件实验室,浙江 宁波 315211
文献出处：
引用格式：
[1]魏腾秀;杨振;邬健;孙元欢;王荣平-.掺铒Ge-Ga-Se波导放大器研究)[J].光子学报,2022(09):107-115
A类：
脊型波导,光学放大器,GeGaSe
B类：
掺铒,磁控溅射法,拉曼,荧光光谱,光谱测量,光学性质,at,退火,光致发光,ms,荧光寿命,COMSOL,Multiphysics,软件包,刻蚀深度,输光,光能,有源,气体流量,流量比,CHF3,CF4,Pa,侧壁,传播损耗,dB,稀土掺杂,上光,射频溅射,光学特性
AB值：
0.333758
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