典型文献
超薄氧化硅与氮化钛复合层对光生电子导出的作用
文献摘要：
采用湿法化学氧化和直流磁控溅射制备了超薄氧化硅(a-SiOx)和高电子浓度的氮化钛(TiN)复合薄膜,研究其对半导体-准绝缘体-半导体(SQIS)光伏器件中晶硅表面的钝化作用.实验结果表明:相对于铝背场电极,该光伏器件的光电转换效率相对提高了 20.72％.结合少子寿命测量和AFORS-HET模拟软件分析,揭示了开路电压增加的原因.a-SiOx/TiN与n-Si有2.28 eV的价带偏移,可以减缓空穴在背部界面的复合,使复合速率降为原先的1/10,从而有效增加开路电压,达到提高异质结器件光电转换效率的目的,为SQIS光伏器件提供了一种工艺简单、制备成本低的背部钝化接触复合材料.
文献关键词：
太阳能电池;钝化层;复合速率;异质结;空穴阻挡;超薄氧化硅/氮化钛
中图分类号：
作者姓名：
兰自轩;王艺琳;赵磊;马忠权
作者机构：
上海大学物理系上海大学-索朗光伏材料与器件R&D联合实验室,上海200444
文献出处：
引用格式：
[1]兰自轩;王艺琳;赵磊;马忠权-.超薄氧化硅与氮化钛复合层对光生电子导出的作用)[J].光学学报,2022(13):223-227
A类：
SQIS
B类：
超薄,氧化硅,氮化钛,光生电子,湿法,化学氧化,直流磁控溅射,SiOx,电子浓度,TiN,复合薄膜,绝缘体,光伏器件,晶硅,钝化作用,光电转换效率,少子寿命,AFORS,HET,开路电压,eV,价带,背部,复合速率,降为,原先,加开,异质结,制备成本,钝化接触,太阳能电池,钝化层,空穴阻挡
AB值：
0.386575
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