典型文献
退火温度和退火时间对不同衬底上Mg2Si薄膜结构的影响
文献摘要：
以Mg2Si烧结靶为靶材,采用磁控溅射法在Si、石英和Al2O3衬底上先沉积一层Mg2Si非晶薄膜,再进行退火处理,研究了衬底类型、退火温度及退火时间对Mg2Si多晶薄膜结构的影响.结果表明:Si、石英、Al2O3三种衬底上Mg2Si薄膜的最优退火温度和退火时间均为350℃和1 h.Al2O3衬底上的Mg2Si薄膜结晶质量最佳,Si衬底上的薄膜次之,石英衬底上的薄膜结晶质量最不理想,分析表明这种差异主要源于衬底与薄膜之间的热失配不同.
文献关键词：
材料;薄膜;Mg2Si;退火温度;退火时间;衬底
中图分类号：
作者姓名：
廖杨芳;谢泉
作者机构：
贵州师范大学物理与电子科学学院,贵州 贵阳 550001;贵州大学大数据与信息工程学院,贵州 贵阳 550025
文献出处：
引用格式：
[1]廖杨芳;谢泉-.退火温度和退火时间对不同衬底上Mg2Si薄膜结构的影响)[J].量子电子学报,2022(04):644-650
A类：
衬底类型
B类：
退火温度,退火时间,Mg2Si,薄膜结构,烧结,靶材,磁控溅射法,石英,Al2O3,非晶,退火处理,多晶薄膜,膜结晶,结晶质量,种差,失配
AB值：
0.224394
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