典型文献
SiC MOSFET栅极驱动电路研究综述
文献摘要：
凭借碳化硅(SiC)材料的宽禁带、高击穿电场、高电子饱和速率和高导热性等优点,SiC MOSFET广泛应用在高压、高频等大功率场合.传统基于硅(Si) MOSFET的驱动电路无法完全发挥SiC MOSFET的优异性能,针对SiC MOSFET的应用有必要采用合适的栅驱动设计技术.目前,已经有很多学者在该领域中有一定的研究基础,为SiC MOSFET驱动电路的设计提供了参考.对现有基于SiC MOSFET的PCB板级设计技术进行了详细说明,并从开关速度、电磁干扰噪声以及能量损耗等方面对其进行了总结和分析,给出了针对SiC MOSFET驱动电路的设计考虑和建议.
文献关键词：
电磁干扰噪声;能量损耗;栅驱动;SiC MOSFET
中图分类号：
作者姓名：
周泽坤;曹建文;张志坚;张波
作者机构：
电子科技大学功率集成技术实验室,成都610054
文献出处：
引用格式：
[1]周泽坤;曹建文;张志坚;张波-.SiC MOSFET栅极驱动电路研究综述)[J].电子与封装,2022(02):前插1-前插2,1-11
A类：
栅驱动
B类：
SiC,MOSFET,栅极驱动,驱动电路,碳化硅,禁带,击穿,和速率,高导热性,大功率,优异性能,驱动设计,设计技术,PCB,板级,细说,电磁干扰噪声,能量损耗,总结和分析
AB值：
0.276364
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