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4H-SiC功率MOSFET可靠性研究进展
文献摘要：
4H-SiC功率MOSFET器件具有栅极驱动电路简单、开关时间短、功率密度大、转换效率高等优良特性,在电力电子系统中有着广泛的应用前景.但该器件在可靠性方面仍存在一些问题,如长期工作时的可靠性和动态工作中一些极端情况下的可靠性问题.针对器件的长期可靠性问题,阐述了长期可靠性的表征方法,栅介质制备工艺对长期可靠性的影响和长期可靠性机理研究的相关成果.在动态可靠性方面,对雪崩测试、短路测试和浪涌测试的实验现象和失效机制分析进行了综述.
文献关键词：
碳化硅;MOSFET;可靠性
中图分类号：
作者姓名：
白志强;张玉明;汤晓燕;沈应喆;徐会源
作者机构：
西安电子科技大学微电子学院,西安 710071
文献出处：
引用格式：
[1]白志强;张玉明;汤晓燕;沈应喆;徐会源-.4H-SiC功率MOSFET可靠性研究进展)[J].电子与封装,2022(04):1-9
A类：
B类：
4H,SiC,MOSFET,可靠性研究,栅极驱动,驱动电路,电路简单,开关时间,功率密度,转换效率,优良特性,电力电子,电子系统,表征方法,栅介质,制备工艺,动态可靠性,雪崩,短路测试,浪涌,实验现象,失效机制,机制分析,碳化硅
AB值：
0.534125
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