典型文献
碳化硅器件封装进展综述及展望
文献摘要：
碳化硅(SiC)具有禁带宽、临界击穿场强大、热导率高、高压、高温、高频等优点.应用于硅基器件的传统封装方式寄生电感参数较大,难以匹配SiC器件的快速开关特性,同时在高温工况下封装可靠性大幅降低,为充分发挥SiC器件的优势需要改进现有的封装技术.针对上述挑战,对国内外现有的低寄生电感封装方式进行了总结.分析了现有的高温封装技术,结合新能源电力系统的发展趋势,对SiC器件封装技术进行归纳和展望.
文献关键词：
SiC;低寄生电感;混合封装;3D封装;平面互连;双面散热;高温封装
中图分类号：
作者姓名：
杜泽晨;张一杰;张文婷;安运来;唐新灵;杜玉杰;杨霏;吴军民
作者机构：
全球能源互联网研究院有限公司先进输电技术国家重点实验室,北京 102209
文献出处：
引用格式：
[1]杜泽晨;张一杰;张文婷;安运来;唐新灵;杜玉杰;杨霏;吴军民-.碳化硅器件封装进展综述及展望)[J].电子与封装,2022(05):10-16
A类：
低寄生电感,混合封装,平面互连
B类：
碳化硅器件,装进,进展综述,述及,SiC,禁带,临界击穿场强,热导率,硅基,电感参数,快速开关,开关特性,高温工况,封装可靠性,封装技术,外现,高温封装,新能源电力系统,双面散热
AB值：
0.303185
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