典型文献
4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件
文献摘要：
介绍了一种4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件.该结构引入了台阶状沟槽,使用TCAD软件对台阶状沟槽的数量、深度、宽度等参数进行了拉偏仿真,确定了最优台阶结构参数.仿真结果表明,与传统的UMOS器件相比,最优台阶结构参数下的台阶状沟槽MOSFET器件关断状态下的栅氧化层尖峰电场减小了12％,FOM值提升了5.1％.提出了形成台阶的一种可行性方案,并给出了实验结果,SEM结果表明,可以通过侧墙生长加湿法腐蚀的方法形成形貌良好的台阶.
文献关键词：
4H-SiC;台阶型沟槽;MOSFET;栅氧化层;尖峰电场;FOM值
中图分类号：
作者姓名：
张跃;张腾;黄润华;柏松
作者机构：
南京电子器件研究所 宽禁带功率半导体器件国家重点实验室, 江苏 南京 210016
文献出处：
引用格式：
[1]张跃;张腾;黄润华;柏松-.4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件)[J].电子元件与材料,2022(04):376-380
A类：
台阶型沟槽,尖峰电场
B类：
4H,SiC,MOSFET,TCAD,UMOS,关断,栅氧化层,FOM,可行性方案,侧墙,加湿,湿法腐蚀
AB值：
0.250805
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