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水基溶液法IGZO-TFT的电学特性研究
文献摘要：
采用水基溶液法制备铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO-TFT),研究了在有无紫外光辅助退火条件下,不同后退火温度(270,300,330,360和400℃)对1GZO-TFT器件电学性能的影响.研究发现,IGZO-TFT在后退火温度为360℃时器件电学性能最佳,从而证明了水基溶液法在小于400℃的低温下可以制备IGZO-TFT.同时,研究表明,在后退火温度为360℃时,与无紫外光辅助退火IGZO-TFT相比,经紫外光辅助退火IGZO-TFT的饱和迁移率从1.19 cm2/Vs增加到1.62 cm2/Vs,正栅偏压偏移量从8.7 V降低至4.6 V,负栅偏压偏移量从-9.7 V降低至-4.4 V,从而证明了紫外光辅助退火对IGZO薄膜具有激活与钝化作用,可以优化IGZO-TFT器件的电学性能.
文献关键词：
IGZO-TFT;水基溶液法;紫外光辅助退火;偏压稳定性
中图分类号：
作者姓名：
崇乐;栗旭阳;蔡长龙;梁海锋;裴旭乐;弥谦;喻志农
作者机构：
西安工业大学光电工程学院,西安710021;北京理工大学光电学院,北京100081
文献出处：
引用格式：
[1]崇乐;栗旭阳;蔡长龙;梁海锋;裴旭乐;弥谦;喻志农-.水基溶液法IGZO-TFT的电学特性研究)[J].半导体光电,2022(05):861-866
A类：
水基溶液法,紫外光辅助退火,1GZO,偏压稳定性
B类：
IGZO,TFT,电学特性,氧化物薄膜晶体管,退火条件,后退火,退火温度,电学性能,迁移率,Vs,偏移量,钝化作用
AB值：
0.122998
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