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硅基光开关及阵列研究进展
文献摘要：
随着网络传输数据的爆炸式增长,传统集成电路芯片面临着难以进一步提升交换速率及继续扩大容量等挑战.相较于传统电子芯片,硅基光子器件具有交换速度快、功耗低、带宽大和与CMOS工艺兼容性好等优点,可满足下一代全光交换网络、数据中心和高性能计算光互连的迫切需求,被视为在后摩尔时代突破芯片容量最具前途的解决方案,受到日益广泛关注.文章介绍了硅基光子芯片中光开关单元及阵列的技术原理和发展现状,重点论述了 MZI型、MRR型开关单元,以及常见阵列拓扑结构,介绍了近年来大规模光开关阵列的国内外研究进展,讨论了未来硅基光开关及阵列研究中面临的主要问题和解决方法.
文献关键词：
光互连;硅基光子;光开关;拓扑架构;光开关阵列;集成光子
中图分类号：
作者姓名：
孙小强;刘崧岳;李鹏飞;尹悦鑫;张大明
作者机构：
吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室,长春130012
文献出处：
引用格式：
[1]孙小强;刘崧岳;李鹏飞;尹悦鑫;张大明-.硅基光开关及阵列研究进展)[J].半导体光电,2022(02):207-217
A类：
B类：
网络传输数据,爆炸式,集成电路,交换速率,大容量,电子芯片,硅基光子,光子器件,交换速度,功耗,宽大,CMOS,工艺兼容性,足下,下一代,光交换,交换网,数据中心,高性能计算,光互连,后摩尔时代,前途,益广,光子芯片,开关单元,技术原理,MZI,MRR,拓扑结构,光开关阵列,拓扑架构,集成光子
AB值：
0.383444
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