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Ag电化学迁移引发肖特基二极管烧毁的失效机理分析
文献摘要：
在阐述银电化学迁移机理的基础上,利用体视显微镜、晶体管图示仪、光学显微镜、X射线检测系统及扫描电子显微镜等技术手段,系统分析了智能电表中肖特基二极管的电化学失效原因.结果表明:二极管芯片正面局部区域遭受了S污染,并发生了Ag电化学迁移现象;芯片边缘析出了Ag枝晶,导致芯片发生短路烧毁,二极管最终失效.本工作的研究成果为电子封装互连焊点中的电化学迁移导致的失效分析提供实践参考.
文献关键词：
电化学迁移;肖特基二极管;失效分析;芯片;Ag枝晶
中图分类号：
作者姓名：
徐晟;王宏芹;牛峥;李洁森;甘卿忠
作者机构：
中国南方电网有限责任公司超高压输电公司广州局,广东 广州510663;工业和信息化部电子第五研究所,广东 广州510610
文献出处：
引用格式：
[1]徐晟;王宏芹;牛峥;李洁森;甘卿忠-.Ag电化学迁移引发肖特基二极管烧毁的失效机理分析)[J].电子器件,2022(02):272-276
A类：
B类：
Ag,电化学迁移,肖特基二极管,烧毁,失效机理,机理分析,体视显微镜,晶体管,图示,光学显微镜,射线检测,智能电表,失效原因,管芯,局部区域,枝晶,短路,电子封装,互连,焊点,点中,失效分析
AB值：
0.279721
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