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面向三维集成应用的Cu/SiO2晶圆级混合键合技术研究进展
文献摘要：
Cu/SiO2混合键合技术被认为是实现芯片三维集成和高密度电学互连的理想方案,但由于其需兼顾介质和金属两种材料的键合,目前鲜有自主开发且工艺简单、成本低廉的混合键合方案的报道.文章归纳了现有的晶圆级键合技术,包括直接键合、活化键合以及金属固液互扩散键合,分析了其应用于混合键合技术的可能性.进一步总结了近年来部分Cu/SiO2混合键合技术的研究进展,从原理上剖析该工艺得以实现的关键,为国内半导体行业占领此高端领域提供一定的参考.
文献关键词：
先进封装技术;三维集成;晶圆级工艺;混合键合
中图分类号：
作者姓名：
刘逸群;张宏伟;戴风伟
作者机构：
清华大学材料学院,北京100084;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,江苏无锡214142;复旦大学微电子学院,上海200433
文献出处：
引用格式：
[1]刘逸群;张宏伟;戴风伟-.面向三维集成应用的Cu/SiO2晶圆级混合键合技术研究进展)[J].微电子学,2022(04):623-634
A类：
晶圆级工艺
B类：
三维集成,集成应用,SiO2,混合键合,电学,互连,自主开发,直接键合,互扩散,半导体行业,占领,先进封装技术
AB值：
0.217125
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