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一种瞬态增强的无片外电容LDO设计
文献摘要：
针对无片外电容型低压差线性稳压器(LDO)瞬态响应差的问题,基于40 nm CMOS 工艺设计了一种带瞬态负载变化感知的无片外电容型LDO电路.采用有源前馈频率补偿,实现了电路稳定;瞬变检测电路感应负载的变化,为功率管栅极提供充、放电通路,减弱了输出电压波动.仿真结果表明,负载电流在0～100 mA范围内,该LDO的输出过冲电压和下冲电压分别为100 mV和140 mV,稳定时间在1μs以内.全负载电流范围内,瞬态性能大幅提升.
文献关键词：
无片外电容;LDO;快速瞬态响应
中图分类号：
作者姓名：
沈洁;王倩;陈后鹏;倪圣兰;宋志棠
作者机构：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所、信息功能材料国家重点实验,上海200050;中国科学院大学微电子学院,北京100049;上海神经形态与人工智能SoC技术发展与创业平台,上海200090
文献出处：
引用格式：
[1]沈洁;王倩;陈后鹏;倪圣兰;宋志棠-.一种瞬态增强的无片外电容LDO设计)[J].微电子学,2022(03):383-387
A类：
瞬态增强
B类：
无片外电容,LDO,低压差线性稳压器,CMOS,工艺设计,负载变化,化感,有源,前馈,频率补偿,瞬变,检测电路,应负,功率管,栅极,电通,输出电压,电压波动,负载电流,mA,出过,过冲电压,下冲,压分,mV,稳定时间,瞬态性能,快速瞬态响应
AB值：
0.374196
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