典型文献
一种高噪声抗扰度电容式电平位移电路
文献摘要：
设计了一种适用于GaN半桥栅驱动的高噪声抗扰度的电容式电平位移电路.在浮动电源轨发生dV/dt切换和减幅振荡时,采用去耦开关完全消除了影响输出状态的共模噪声,采用动态开关减小了电路失配引起的差模噪声.利用电容耦合技术实现了高负压容忍度、亚纳秒级延时和低功耗.采用0.18 μm高压BCD工艺进行电路设计.仿真结果表明,在50 V电平转换下,该电平位移电路的共模瞬态抗扰度达到200 V/ns,200 V/ns转换速率下的失配容忍度达到30％,负压容忍度达到-5 V,平均传输延时为0.56 ns.
文献关键词：
GaN半桥栅驱动;电容式电平位移电路;高噪声抗扰度;高负压容忍度
中图分类号：
作者姓名：
秦尧;明鑫;尤勇;林治屹;庄春旺;王卓;张波
作者机构：
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054;华润微集成电路(无锡)有限公司,江苏无锡214135;电子科技大学重庆微电子产业技术研究院,重庆401331
文献出处：
引用格式：
[1]秦尧;明鑫;尤勇;林治屹;庄春旺;王卓;张波-.一种高噪声抗扰度电容式电平位移电路)[J].微电子学,2022(05):740-745
A类：
高噪声抗扰度,电容式电平位移电路,电平位移电路,栅驱动,浮动电源轨,高负压容忍度
B类：
GaN,半桥,dV,dt,减幅,用去,去耦,全消,共模噪声,失配,电容耦合,耦合技术,亚纳秒,纳秒级,低功耗,BCD,电路设计,电平转换,换下,瞬态,ns,换速,传输延时
AB值：
0.225627
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