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适用于GaN栅极驱动的自适应死区时间控制电路
文献摘要：
设计了一种适用于GaN栅极驱动的自适应死区时间控制电路,该电路具有低延时、低功耗、高速、高开关频率的特点.电路通过单脉冲产生电路检测开关节点电压,以实现零静态功耗;加入互锁电路以防误触发,消除了由开关节点毛刺导致的上下管直通的现象.电路基于SMIC 0.18μmBCD工艺设计,仿真结果表明,死区时间可随负载变化而自适应调整,且当最坏情况开关节点电压的dv/dt=48 V/ns时,电路高低侧死区时间误差仅为1.59 ns和2.69 ns.
文献关键词：
GaN;自适应死区时间控制;低功耗;互锁电路
中图分类号：
作者姓名：
程汉;叶益迭;潘春彪;奚争辉
作者机构：
宁波大学信息科学与工程学院,浙江宁波315211
文献出处：
引用格式：
[1]程汉;叶益迭;潘春彪;奚争辉-.适用于GaN栅极驱动的自适应死区时间控制电路)[J].微电子学,2022(05):764-771
A类：
自适应死区时间控制,死区时间控制,互锁电路
B类：
GaN,栅极驱动,控制电路,低延时,低功耗,高开关频率,路通,单脉冲,电路检测,关节点,节点电压,静态功耗,防误,误触发,毛刺,下管,直通,路基,SMIC,mBCD,工艺设计,可随,负载变化,自适应调整,dv,dt,ns,时间误差
AB值：
0.320775
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