典型文献
一种基于65 nm CMOS工艺的77 GHz宽带功率放大器
文献摘要：
采用65 nm CMOS工艺设计了一款基于四路功率合成的77 GHz(E波段)功率放大器.采用电容中和技术抵消密勒电容的负面效应;利用功率合成技术解决MOS管低击穿电压引起的低输出电压摆幅的问题,将多路输出功率高效合成以实现高功率输出.采用共轭匹配和多频点叠加的带宽拓展技术,有效实现电路阻抗匹配和带宽拓展.后仿真结果表明,在79 GHz处,该功率放大器的最大增益为20.5 dB,-3 dB带宽为64 GHz～86 GHz,输出功率1 dB压缩点为12.7 dBm,饱和输出功率16.6 dBm,峰值功率附加效率为16.5％.该功率放大器版图面积为0.29 mm2;在1.2 V供电电压下,功耗为211 mW.
文献关键词：
E波段;功率放大器;CMOS;功率合成;毫米波
中图分类号：
作者姓名：
纪忠玲;何进;王豪;常胜;黄启俊
作者机构：
武汉大学物理科学与技术学院,湖北 武汉430072
文献出处：
引用格式：
[1]纪忠玲;何进;王豪;常胜;黄启俊-.一种基于65 nm CMOS工艺的77 GHz宽带功率放大器)[J].电子器件,2022(02):256-262
A类：
多路输出功率
B类：
CMOS,GHz,宽带功率放大器,工艺设计,四路,功率合成,波段,中和技术,抵消,密勒电容,负面效应,合成技术,击穿电压,输出电压,高功率,功率输出,共轭,多频,频点,电路阻抗,阻抗匹配,dBm,饱和输出功率,峰值功率,功率附加效率,版图,图面,mm2,供电电压,功耗,mW,毫米波
AB值：
0.348839
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
