典型文献
电容传感芯片外部坏点的成因与控制
文献摘要：
外部坏点造成的不良是电容传感芯片制造过程中良率损失的主要来源之一.由于庞大的市场需求和日趋激烈的竞争,有必要进一步提升产品良率.从电容传感的原理出发,阐释外部坏点与产品实际物理结构之间的联系;按照失效分析的思路介绍了大粒径塑封填料颗粒异常混入、小粒径填料颗粒异常聚集和塑封料基体树脂异常聚集3类造成电容传感芯片外部坏点的典型成因;并借助有效介质理论归纳了相应的物理模型,给出大颗粒或聚集体临界尺寸的计算方法.在此基础上,依据外部坏点的物理表现和临界尺寸的计算结果,从塑封原材料的生产和塑封料的来料检验角度,分别提出了管控方案.根据实施方案前后同型号产品多批次因外部坏点导致的不良品扣料监控数据分析,几类措施均能有针对性地提升产品良率.
文献关键词：
电容传感芯片;外部坏点;塑封料;良率提升
中图分类号：
作者姓名：
李恭谨;张波;秦培
作者机构：
汇顶科技股份有限公司,上海 201210
文献出处：
引用格式：
[1]李恭谨;张波;秦培-.电容传感芯片外部坏点的成因与控制)[J].电子与封装,2022(12):23-30
A类：
电容传感芯片,外部坏点
B类：
成因与控制,芯片制造,制造过程,日趋激烈,物理结构,失效分析,大粒径,填料,混入,小粒径,常聚,塑封料,基体树脂,有效介质理论,物理模型,大颗粒,聚集体,界尺,来料,管控方案,同型号,型号产品,多批,不良品,监控数据,几类,良率提升
AB值：
0.278974
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