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SiC MOSFET特性参数的一致性分析
文献摘要：
SiC器件具有高温、高压、高频的优异特性,广泛应用于交通、电力等领域,其国产化迫在眉睫.以全球能源互联网研究院有限公司研制的同一批次不同晶圆上的30个1 200 V/20 A SiC MOSFET作为研究对象,通过对比实验分析了测试仪器及方法对国产SiC MOSFET的静态特性参数测试结果的影响.采用标准差、偏度、峰度、偏离度和变异系数量化评估了 SiC MOSFET动、静态特性参数的一致性,发现跨导、漏源极电容、栅源极电容、下降时间和关断延时一致性较好,而导通电阻、阈值电压、栅漏极电容、上升时间和开通延时的一致性较差,从而为后续器件的改进设计提供数据支撑.
文献关键词：
SiC MOSFET;偏离度;变异系数;标准差;偏度;峰度;多指标量化分析
中图分类号：
作者姓名：
杜泽晨;吴沛飞;刘瑞;桑玲;田丽欣;张文婷;杨霏
作者机构：
先进输电技术国家重点实验室(全球能源互联网研究院有限公司),北京 102209
文献出处：
引用格式：
[1]杜泽晨;吴沛飞;刘瑞;桑玲;田丽欣;张文婷;杨霏-.SiC MOSFET特性参数的一致性分析)[J].半导体技术,2022(04):281-287
A类：
多指标量化分析
B类：
SiC,MOSFET,特性参数,一致性分析,国产化,全球能源互联网,晶圆,测试仪器,静态特性,参数测试,采用标准,偏度,峰度,偏离度,数量化,量化评估,下降时间,关断,延时,导通电阻,阈值电压,上升时间,开通,改进设计
AB值：
0.322413
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