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一种抗总剂量辐射带隙基准电压源
文献摘要：
设计了一种标准CMOS工艺下抗总剂量辐射(TID)的带隙基准电压源.分析了传统结构在辐射环境下的固有缺陷.利用二极管正向导通电压受电流影响较小的特性,提高了带隙基准电压源的抗总剂量辐射能力.该基准电压源包含启动电路、基准核和自偏置电路.将基准电压源用于12位100 kS/s采样率A/D转换器的一个单元,进行了流片和测试.结果表明,经总剂量辐射试验后,该基准电压源的输出电压变化较小.在-55℃～125℃范围内,辐射前的温度系数为1.53×10-5/℃,辐射后的温度系数为1.71×10-5/℃.
文献关键词：
带隙基准源;抗总剂量辐射;二极管;自偏置
中图分类号：
作者姓名：
胡永菲;王忠焰;杨洋;杜宇彬;刘虹宏
作者机构：
中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060
文献出处：
引用格式：
[1]胡永菲;王忠焰;杨洋;杜宇彬;刘虹宏-.一种抗总剂量辐射带隙基准电压源)[J].微电子学,2022(04):562-565
A类：
抗总剂量辐射,kS
B类：
辐射带,带隙基准电压源,CMOS,TID,辐射环境,二极管,向导,导通电压,辐射能力,启动电路,自偏置,偏置电路,采样率,转换器,流片,辐射试验,输出电压,电压变化,温度系数,带隙基准源
AB值：
0.243996
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